XP Power正式宣布推出一款新的小巧型550W AC-DC电源,可用于自然对流冷却、传导冷却和强制空气冷却。这款新的PSU可满足医疗和工业应用,适用于广泛的应用 - 包括密封外壳环境。
>>详情在需要使用矢量控制FOC算法的车载电机系统中,高精度TMR角度传感器芯片一直在与霍尔角度芯片、旋变方案、电涡流芯片等其它方案竞争电机转子位置检测(RPS, Rotor Position Sensing)的市场主流方向。
>>详情近日,格科微成功量产高性能的第二代单芯片3200万像素图像传感器——GC32E2。GC32E2搭配单帧高动态DAG HDR技术,预览、拍照、录像时,均能以更低功耗输出明暗细节丰富、无伪影的影像。
>>详情RECOM 全新推出新一代极具性价比的高性能 “K” 系列引脚式 DC/DC 转换器,这些产品性能更强大,额定功率最高达 30 W,具有宽输入电压范围,采用 1” x 1” 微型封装,高度仅 0.4英寸 (25.4 x 25.4 x 10.2 mm)。
>>详情贸泽电子即日起开售Siemens LOGO!Power微型电源。该产品采用扁平、阶梯式外形设计,具有节能功能,可在小型配电板和其他空间有限的环境中实现高性能。这些电源可满足照明和加热控制器、包装机、分拣系统和传送带等建筑技术和工业自动化应用的能源需求。
>>详情长光辰芯发布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是长光辰芯线阵芯片GL中的全新子系列,是基于长方形像素尺寸设计的线阵图像传感器。GLR1205BSI-S作为该系列的首款产品,将助力长光辰芯开辟更多应用领域,例如点激光位移传感器,光谱测量,光学相干断层扫描(OCT)等。GLR系列会陆续推出更多产品以满足多样化的市场需求。
>>详情GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器(OBCs)、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统(ESS)。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装,专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
>>详情禾迈,深耕光伏和储能领域,并专注于微逆,是一家全球领先的电力电子公司。禾迈推出了全球首台功率高达 5000 W 新品大微逆MiT(MIT-5000-8T 系列)。该微逆专为工业、商业和大型住宅项目设计,以其天然安心、天生安全、拓界安居、收益安稳等优势,完美适配超大功率组件,轻松应对复杂屋顶,为用户带来更安全、更安心、更安稳的解决方案。
>>详情全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出全新的XENSIV™ TLE49SR角度传感器系列。该系列传感器兼具出色的抗杂散场能力和高精度,适用于电动助力转向、车辆高度调平等安全关键型汽车底盘系统应用。
>>详情智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON), 最新发布第 7 代 1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800 安培 (A) QDual3 模块基于新的场截止第 7 代 (FS7) IGBT 技术,带来业界领先的能效表现,有助于降低系统成本并简化设计。
>>详情无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ,将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。
>>详情在Sensor+Test 2024 国际传感器及测量测试展览会上,专业的隧道磁阻 (TMR) 磁传感器领先制造商 多维科技有限公司 (MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT) 启动了TMR4101微米级高精度磁栅传感器的全球销售业务。
>>详情TDK 株式会社(TSE:6762)利用其卓尔不凡的霍尔效应 3D 位置传感器产品系列的最新成员 HAL/HAR 3936*,进一步扩展了其著名的 Micronas 3D HAL® 位置传感器系列。HAL/HAR 3936 是磁位处理技术的重大进步,旨在满足现代汽车和工业应用场景的苛刻要求。HAL/HAR 3936 具有多功能编程特征以及高精度,这款传感器是转向柱开关、换挡器、制动踏板位置传感器或制动行程传感器的潜在解决方案。**现可提供样品。计划于 2024 年低投产。
>>详情无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。
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