受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。
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DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
>>详情近年来，便携式电子产品的迅猛发展促进了电池技术的更新换代。锂离子电池由于其具有高能量密度、长寿命、低自放电率、无污染等特性，迅速成为市场的主流电池产品。为了防止电池出现过充电或过放电状态、保证电池的安全性能和避免出现电池特性恶化现象，必须在锂离子电池组中安装保护电路。同时要锂电池能够稳定可靠的为设备提供能量，对于电池的智能检测与监控是必须考虑的环节。锂电池供电是现代便携式设备 合适的供电方案，但其
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LTC7803是ADI公司开发的一款同步降压型控制器，可简化高性能电源的设计。这款控制器具有以下主要特性：集成低阻抗栅极驱动器，能够切换N通道MOSFET，从而降低整体转换器成本，提高效率；极低工作静态电流(5 µA)；40 V宽输入/输出电压范围；100 kHz至3 MHz的极高可编程开关频率范围；检测电阻或DCR检测可进一步提升效率；以及100%占空比。另外支持Spread Spectrum®（扩频）操作。LTC7803在±15%范围内调节开关频率，这可简
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任何能免除设备的电源线和墙上插座的技术都肯定会赋予电子设备一种明显的销售优势。能从无线电源获得利益的应用包括各种便携式消费电子设备，如手机和 MP3 播放机，它们可以丢弃自己的墙上插座和电源适配器；低功耗无线传感器网络，它们可以免除频繁更换电池的麻烦；另外还有病人的医用植入设备，以避免更换电池的手术。
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本文介绍仅需0 dBm LO驱动的宽带3 GHz至20 GHz SiGe无源混频器。新巴伦结构是实现宽RF带宽的关键创新。针对IF频段应用也采用相同的巴伦拓扑，支持300 MHz至9 GHz的宽IF。该高性能双平衡混频器可用于上变频或下变频。该混频器采用2 mm × 3 mm、12引脚小型QFN封装，提供23 dBm IIP3和14 dBm P1dB。采用3.3 V电源供电时，混频器功耗为132 mA。
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住宅储能市场虽然现在处于起步阶段，但正位于爆炸式增长的边缘。自2018年第一季度以来，仅在美国，该市场就同比增长了232％，而能源存储在2019年第一季度的部署中占比为46％。如今，住宅储能领域的规模比公用事业部署的规模要小。预计全球住宅储能市场将从2019年的60亿美元增长到2024年的175亿美元；复合年增长率为22.88％（根据最新的Wood Mackenzie美国能源存储监控器。
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基站电源的设计必须使规模，效率和性能之间权衡。新的电源解决方案，基于数字遥测是简单，灵活和可扩展性。周围的MAX15301的负载点（POL）控制器设计的基站系统将更加综合和灵活的。
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