超声波传感器利用超声波的特性研制而成。超声波是由换能晶片在电压的激励下发生振动而产生的，具有频率高、波长短、绕射现象小、方向性好、能够定向传播等特点，对液体、固体的穿透本领大，尤其是在不透明的固体中，它可穿透几十米的深度。超声波碰到杂质或分界面会反射形成回波，碰到活动物体能产生多普勒效应。因此超声波检测广泛应用在工业、国防、生物医学等方面。
>>详情锂离子电池是一种广泛使用的可充电电池，因其高能量密度、长寿命和低自放电率而受到青睐。下面将详细介绍锂离子电池的工作原理、特点及应用。
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电隔离式 (GI) 栅极驱动器在优化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演着至关重要的角色，特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深，SiC技术凭借其提升效率和缩小系统体积的能力脱颖而出。本文为第二篇，将分享电隔离栅极驱动器的隔离能力评估 ，并介绍其典型的应用市场与安森美(onsemi)可提供的高新能产品选型。
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如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
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功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了化器件的导通电阻，必须增加外延层中的掺杂剂浓度（即降低电阻率）或减少层厚度，但这些也会导致击穿电压下降。这意味着芯片设计人员必须很好地权衡导通电阻和击穿电压。
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随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。
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本系列文章的第五部分阐明ADI公司备用电池单元(BBU)参考设计中辅助电源的重要性。辅助电源包括与主电源输出一起提供的补充电压轨，用于支持众多组件和功能。它对于确保BBU参考设计模块中集成的电源器件的可靠和高效运行至关重要。
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48 V 系统越来越普及，未来车辆可能会混合使用 12 V、 48 V 和高压（通常为 400 V 或 800 V）电源网络，而且传统的12 V 配件也逐渐迁移到 48 V 系统，耗电较高的组件首先受到影响，例如电动转向 (EPS)、悬挂系统、用于加热/冷却车舱和电池组的 HVAC 压缩机。
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