如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
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功率芯片的大小直接由单位面积的导通电阻决定，而导通电阻主要由作为功能层的外延层的电阻主导。为了化器件的导通电阻，必须增加外延层中的掺杂剂浓度（即降低电阻率）或减少层厚度，但这些也会导致击穿电压下降。这意味着芯片设计人员必须很好地权衡导通电阻和击穿电压。
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随着行业不断探索解决方案，宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。
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本系列文章的第五部分阐明ADI公司备用电池单元(BBU)参考设计中辅助电源的重要性。辅助电源包括与主电源输出一起提供的补充电压轨，用于支持众多组件和功能。它对于确保BBU参考设计模块中集成的电源器件的可靠和高效运行至关重要。
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48 V 系统越来越普及，未来车辆可能会混合使用 12 V、 48 V 和高压（通常为 400 V 或 800 V）电源网络，而且传统的12 V 配件也逐渐迁移到 48 V 系统，耗电较高的组件首先受到影响，例如电动转向 (EPS)、悬挂系统、用于加热/冷却车舱和电池组的 HVAC 压缩机。
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直流链路电容器在功率转换器中扮演着中间缓冲器的角色，连接着输入源与输出负载，适应不同的瞬时功率、电压和频率。在电动汽车（EV）领域，它们不仅有效抵消逆变器、电机控制器及电池系统中电感的影响，还充当滤波器，为电动汽车子系统提供保护，抵御电压尖峰、浪涌及电磁干扰（EMI）的侵害。
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本文详细介绍了ADI公司用于开放计算项目开放机架第3版(OCP ORV3)备用电池单元(BBU)架的硬件和软件。其主要功能是建立BBU模块之间的通信，并通过为此类应用精心打造的图形用户界面(GUI)向用户呈现可读数据和信息。
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要想打造可持续未来，传感器在环境监测中的作用至关重要。全球能耗上升、能源密集型制造工艺、家用电器产生的温室气体、畜牧生产和焚烧作物秸秆等粗放型耕作方式都是造成气候危机的原因。所有这些因素都增加了环境中的二氧化碳 (CO2) 含量，影响了人们的生活质量。各种传感器功能各异，对收集环境多个方面的准确和可靠的数据发挥着关键作用。
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