具体来说，基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 在开关频率、额定功率、散热能力和效率方面均优于传统的硅基器件，而所有这些都是提高先进功率转换器性能的关键因素。这些优势得益于 GaN 固有的 WBG 电压、高临界击穿电场、高热导率和高电子饱和速度等优点。基于 GaN 的功率开关器件可提供小“导通”电阻、大电流能力和高功率密度。
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传统的高压隔离反激式转换器利用光耦合器将稳压信息从次级侧基准电源电路传输到初级侧，由此实现准确稳压。问题在于光耦合器会大大增加隔离设计的复杂性：存在传播延迟、老化和增益变化，所有这些都会使电源回路补偿变得复杂，且会降低可靠性。
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市面上有很多使用Modbus协议的各类传感器，要想采集这些传感器数据并上报至云端集中管理，需要投入开发一整套采集上报的设备，今天我们就用GCOM80-2NET让Modbus传感器数据轻松接入云端。
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光伏电池片领域降本增效是推动光伏产业不断发展的内在牵引力，其中以提升光电转换效率为目标的光伏电池片技术变革是推动降本增效的关键举措之一。2015年至2020年，光伏电池片经历了BSF到PERC的应用技术迭代；2021年以来，以TOPCon、XBC、HJT为代表的新型高效光伏电池片技术开始逐步进入规模化应用阶段。在光伏电池片技术的变革过程中，设备是支撑工艺和产能落地的基础和核心，新设备技术需要均衡成本、性能等核心要素，因此设备厂商需要与下游客户紧密配合，根据新的工艺特点提供兼顾成本、效率的系统性解决方案，具有较高的技术和产品壁垒。
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1月2日，昆明理工大学官网宣布，近日，昆明理工大学材料科学与工程学院陈江照团队在国际知名学术期刊Advanced Materials上以“Functional-group-induced single quantum well Dion-Jacobson 2D perovskite for efficient and stable inverted perovskite solar cells”为题发表文章。
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碳化硅（SiC）功率器件已经被广泛应用于服务器电源、储能系统和光伏逆变器等领域。近些年来，汽车行业向电力驱动的转变推动了碳化硅（SiC）应用的增长， 也使设计工程师更加关注该技术的优势，并拓宽其应用领域。
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电源的完整性是为确认电源来源及目的端的电压和电流是否符合需求。电源完整性在现今的电子产品中相当重要，涉及芯片层面、芯片封装层面、电路板层面及系统层面。
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在过去十年中，移动无线数据快速增长，使得运营商愈加迫切地需要新频段和新技术，以满足用户对无线数据容量的需求。这种需求不仅推动了无线技术的发展，也增加了对增强型射频(RF)滤波器技术的需求，以帮助减少系统干扰，扩大RF覆盖范围，增强接收器性能，并提升共存特性。
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现代电子系统中的直流配电通常需要针对效率、尺寸和成本进行优化。与此同时，输入和输出电压之间的差异变得更大，电源轨经常会发生很大的变化，而输出（有时低至 1V 左右）必须更加准确且无干扰。
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在电力电子方面，每个系统设计人员都必须面对一些基本事实。首先，大多数项目需要多轮设计、仿真和试验才能通过 EMI（电磁干扰）的严格限制。其次，存在的问题是引入 EMI 组件会降低系统效率并增加成本和解决方案尺寸。
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