•                 产品展示

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• Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性  2022-03-23
  3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

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• 英飞凌推出全新车规级750 V EDT2 IGBT，适用于分立式牵引逆变器  2022-03-21
  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。

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• Littelfuse SPxxR6瞬态抑制二极管阵列可保护超高速数据线免受低电压瞬态尖峰影响  2022-03-09
  Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）， Littelfuse公司 （纳斯达克股票代码：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。Littelfuse公司宣布推出全新SP33R6系列四通道、低电容（0.2pF）的瞬态抑制二极管阵列。

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• 绿色出行：英飞凌CoolSiC功率模块可将有轨电车的能耗降低10%  2022-03-08
  全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说，整个社会向绿色出行方式转型，就需要减少短途航班及驾车出行，而这势必会促进轨道交通的发展。

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• Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管  2022-02-23
  埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出两款新型宽带碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。

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• 意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路  2022-02-15
  意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。

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• 比亚迪半导体新款功率器件驱动芯片自主研发告成  2021-12-16
  12月14日，比亚迪半导体官方宣布，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，今年12月实现向各大厂商批量供货。

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• 意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展  2021-12-10
  服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1]，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

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• Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合  2021-12-02
  全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

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• Nexperia推出一系列A－selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差  2021-11-17
  基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。

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