包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : OptiMOS™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 3.2A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 75 毫欧 @ 13A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 12µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 11nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 720pF @ 50V

功率-最大值 : 26W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerVDFN

供应商器件封装 : PG-TDSON-8（5.15x6.15）