包装 : 托盘 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : 6 N-沟道(3 相桥)
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 150V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 50A
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 24 毫欧 @ 38A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 97nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 5800pF @ 25V
功率-最大值 : -
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : ISOPLUS-DIL™
供应商器件封装 : ISOPLUS-DIL™