包装 : 托盘 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 6 N-沟道（3 相桥）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 150V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 50A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 24 毫欧 @ 38A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 97nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 5800pF @ 25V

功率-最大值 : -

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : ISOPLUS-DIL™

供应商器件封装 : ISOPLUS-DIL™