包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : SuperMESH™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 450V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 400mA

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 4.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.7V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 160pF @ 25V

功率-最大值 : 1.6W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SO