包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : TrenchMOS™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 100V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 12.5A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 85 毫欧 @ 5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 16.8nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1108pF @ 25V

功率-最大值 : 38W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : SOT-1205，8-LFPAK56

供应商器件封装 : LFPAK56D