包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 4A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 25 毫欧 @ 2A，4V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.3V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1100pF @ 10V

功率-最大值 : 150mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 : W迷你型8-F1