包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : 2 N 沟道（双）非对称型

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 16A，46A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 10 毫欧 @ 8A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3V @ 5.85mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6.3nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1092pF @ 10V

功率-最大值 : 1.7W，2.5W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装 : 8-HSO