包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : NexFET™

FET类型 : 2 个 N 沟道（双）

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 15A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 28 毫欧 @ 5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.6V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 9.4nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 741pF @ 30V

功率-最大值 : 2.1W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装 : 8-SOIC