包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : NexFET™

FET类型 : 2 N 沟道（双）非对称型

FET功能 : 逻辑电平栅极，5V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 15A

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 14.3 毫欧 @ 4A，8V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 662pF @ 15V

功率-最大值 : 6W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-TDFN

供应商器件封装 : 8-SON（3.3x3.3）