包装 : 管件
系列 : DeepGATE™,STripFET™ VI
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 80A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 3 毫欧 @ 60A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 183nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 11400pF @ 25V
功率-最大值 : 41.7W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-262-3 整包,I²Pak
供应商器件封装 : I2PAKFP(281)