包装 : 管件

系列 : DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 80A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3 毫欧 @ 60A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 183nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 11400pF @ 25V

功率-最大值 : 41.7W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-262-3 整包，I²Pak

供应商器件封装 : I2PAKFP（281）