包装 : 管件
系列 : DeepGATE™,STripFET™ VI
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 40V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 120A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 2.9 毫欧 @ 60A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 181nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 8130pF @ 20V
功率-最大值 : 150W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商器件封装 : TO-220