包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装

系列 : MDmesh™ II Plus

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 9A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 308 毫欧 @ 4.5A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 21.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 791pF @ 100V

功率-最大值 : 57W

安装类型 : *

封装/外壳 : 4-PowerFlat™ HV

供应商器件封装 : PowerFlat™（5x6）