包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 4500V（4.5kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 900mA（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 85 欧姆 @ 50mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 6.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 40nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1730pF @ 25V

功率-最大值 : 165W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : i4-Pac™-5（3 引线）

供应商器件封装 : ISOPLUS i4-PAC™