包装 : 管件

系列 : HiPerFET™

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 超级结

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 38A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 70 毫欧 @ 20A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.9V @ 2.7mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 250nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : -

功率-最大值 : -

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : i4-Pac™-5

供应商器件封装 : ISOPLUS i4-PAC™