包装 : 管件

系列 : HiPerFET™

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 1000V（1kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 30A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 245 毫欧 @ 22A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 6.5V @ 8mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 264nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 13600pF @ 25V

功率-最大值 : 694W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 24-BESOP（0.906，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘

供应商器件封装 : 24-SMPD