包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 耗尽模式

漏源极电压（Vdss） : 1000V（1kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 10A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.4 欧姆 @ 10A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 130nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 2500pF @ 25V

功率-最大值 : 400W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

供应商器件封装 : TO-268