包装 : 带卷(TR) 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 100V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 170mA(Ta)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : -
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 60pF @ 25V
功率-最大值 : 200mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-70,SOT-323
供应商器件封装 : SOT-323