包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 200mA（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.5 欧姆 @ 10mA，4V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 900mV @ 100µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 41pF @ 3V

功率-最大值 : 200mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 3-XFDFN

供应商器件封装 : 3-DFN1006H4（1.0x0.6）