包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 220mA（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 0.35nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 22.2pF @ 15V

功率-最大值 : 393mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 3-XFDFN

供应商器件封装 : X2-DFN0606-3