包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 1.21A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 200 毫欧 @ 900mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 950mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 67.62pF @ 25V

功率-最大值 : 470mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 3-UDFN

供应商器件封装 : X1-DFN1212-3