包装 : *可替代的包装
系列 : Dual Cool™,PowerTrench®
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 120V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 20A(Ta),129A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4.14 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 107nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 7850pF @ 60V
功率-最大值 : 3.2W
安装类型 : *
封装/外壳 : *
供应商器件封装 : *