包装 : 带盒（TB） 可替代的包装

系列 : QFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 300mA（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 11.5 欧姆 @ 150mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 6.2nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 170pF @ 25V

功率-最大值 : 1W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装 : TO-92-3