包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : QFET®

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 200V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 850mA（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.35 欧姆 @ 425mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 5.2nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 310pF @ 25V

功率-最大值 : 2.2W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装 : SOT-223-4