包装 : *
系列 : SuperFET® II
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压(Vdss) : 600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 52A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 70 毫欧 @ 26A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 3.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 166nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 4925pF @ 380V
功率-最大值 : 481W
安装类型 : *
封装/外壳 : *
供应商器件封装 : *