包装 : 剪切带(CT) 可替代的包装
系列 : DeepGATE™,STripFET™ VI
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss) : 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 26A(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 4.4 毫欧 @ 13A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 40nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss) : 4040pF @ 25V
功率-最大值 : 2.7W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装 : 8-SO