包装 : 管件

系列 : -

FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 1200V（1.2kV）

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 20A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 290 毫欧 @ 10A，20V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 45nC @ 20V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 650pF @ 400V

功率-最大值 : 175W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-247-3

供应商器件封装 : HiP247™