包装 : 剪切带（CT） 可替代的包装

系列 : STripFET™ V

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平栅极，2.5V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : -

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 30 毫欧 @ 2A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 700mV @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 4.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 367pF @ 16V

功率-最大值 : 350mW

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 : SOT-23