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系列 : DeepGATE™，STripFET™ VII

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 80A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3 毫欧 @ 40A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 40nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 2700pF @ 25V

功率-最大值 : 110W

安装类型 : *

封装/外壳 : *

供应商器件封装 : *