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全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性2024-12-11

前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品,它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管, 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体管,这使得ST的MASTERGAN1在半桥拓扑应用中优势明显。例如,常见的 AC-DC系统中 LLC谐振转换器,有源钳位反激或正激,图腾柱PFC等等。
全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性

英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布,电压覆盖700V!2024-12-09

作为第三代半导体材料的代表者,氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性,引领了全球功率半导体产业革新,随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展,其市场规模正呈现出爆发式增长态势。
英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布,电压覆盖700V!

意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET2024-11-29

意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。
意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET

Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt 超快恢复整流器2024-11-27

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。
Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt 超快恢复整流器

英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件2024-11-21

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。
英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合,专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计2024-11-15

为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。
Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合,专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计

采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管2024-11-13

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT2024-11-08

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC,效率更高,设计更简单2024-10-24

英飞凌科技股份公司推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10 A至80 A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC,效率更高,设计更简单

Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列2024-10-23

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管,这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案,专为保护碳化硅(SiC)MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高,因此越来越受到欢迎,对稳健栅极保护的需求也越来越大。
Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列
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1. “每日一问”的答案及获奖名单将在第二天公布;
2. 最接近标准答案的网友将获得多功能背包一份(每天限一名),如答案相同则以提交答案的时间为准;
3. 奖品将在“传感技术主题月”结束后统一发放,具体时间请随时关注中电网公告。

抱歉,没有问题!

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