
产品展示
全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性2024-12-11
前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品,它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管, 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体管,这使得ST的MASTERGAN1在半桥拓扑应用中优势明显。例如,常见的 AC-DC系统中 LLC谐振转换器,有源钳位反激或正激,图腾柱PFC等等。英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布,电压覆盖700V!2024-12-09
作为第三代半导体材料的代表者,氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性,引领了全球功率半导体产业革新,随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展,其市场规模正呈现出爆发式增长态势。意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET2024-11-29
意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管,新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力,适用于非逻辑电平控制的应用场景。Vishay推出采用eSMP系列SMF(DO-219AB)封装的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt 超快恢复整流器2024-11-27
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封装的汽车级器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3,进一步扩展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢复整流器平台阵容。英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件2024-11-21
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。Microchip推出广泛的IGBT 7 功率器件组合,专为可持续发展、电动出行和数据中心应用而优化设计2024-11-15
为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求,功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT2024-11-08
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用,开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*1、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V,直流母线电压最高可达1500 VDC,效率更高,设计更简单2024-10-24
英飞凌科技股份公司推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5,这是市面上首款击穿电压达到2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用,额定电流为10 A至80 A,是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。