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比亚迪半导体新款功率器件驱动芯片自主研发告成2021-12-16

12月14日，比亚迪半导体官方宣布，成功自主研发并量产1200V功率器件驱动芯片——BF1181，今年12月实现向各大厂商批量供货。

意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展2021-12-10

服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1]，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

Microchip持续扩大氮化镓（GaN）射频功率器件产品组合2021-12-02

全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

Nexperia推出一系列A－selection齐纳二极管，可提供高精度基准电压，拥有业内极低的±1%容差2021-11-17

基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基准电压。

Vishay推出的新型FRED Pt第五代600 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器符合AEC－Q101标准，且可显著降低反向恢复损耗2021-11-03

日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出10款符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用的新型FRED Pt® 600 V第五代Hyperfast和Ultrafast整流器。Vishay Semiconductors 15 A、30 A、60 A和75 A整流器在同类器件中具有出色反向恢复性能，提高AC/DC和DC/DC转换器以及软硬开关或谐振电路的效率。

埃赋隆推出400W坚固耐用的Doherty射频功率晶体管，据此扩展LDMOS基站和多载波产品线2021-10-28

埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布推出BLC10G27XS-400AVT 400W非对称Doherty射频功率晶体管。此Doherty晶体管专为在2.496GHz至2.690GHz频率范围内工作的基站多载波应用而设计，其采用了埃赋隆备受业界推崇的第9代28V LDMOS工艺技术。

e络盟供货安世半导体SiGe整流器2021-10-11

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应安世半导体的SiGe整流器，可为工程师的新品设计实现更高的效率和热稳定性，并节省空间。

贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN－on－SiC HEMT 赋能4G和5G通信应用2021-08-23

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)即日起开始备货Qorvo®QPD0011高电子迁移率晶体管(HEMT)。

可显著降低家用电器功耗，东芝IGBT产品又添新成员！2021-08-16

近日，东芝新推出了一款额定值为1350V／30A的分立IGBT——GT30N135SRA，扩充了其IGBT产品阵容。新产品主要适用于采用AC200V输入电压谐振电路的家用电器，例如IH电磁炉、IH电饭煲和微波炉。

意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管2021-08-13

意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频功率放大器(PA)优化设计。