包装 : 管件 可替代的包装
系列 : QFET®
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 800V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 7A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 35nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1680pF @ 25V
功率-最大值 : 198W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装 : TO-3PN
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