包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : DeepGATE™，STripFET™ VI
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss） : 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 26A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 4.4 毫欧 @ 13A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 40nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 4040pF @ 25V
功率-最大值 : 2.7W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装 : 8-SO
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
