ARM Cortex-M0 MCU,马达控制,电源管理,DC/DC转换器
2019-06-14 11:14:26ST公司的STSPIN32F0B是嵌入STM32 MCU(STM32F031C6)系统级封装三相无刷BLDC马达控制器,包含了三个半桥栅极驱动器,可以电流容量600mA(沉和源)来驱动功率MOSFET,由于集成了连锁功能而在同一半桥的高边和低边开关不能同时驱动.内部的DC/DC降压转换器提供3.3V电压,适用于MCU和外接元件.而内部的LDO线性稳压器则提供了栅极驱动器的电源.
>>详情Power Integrations公司的LinkSwitch™-TN2系列产品是高效率离线开关集成电路,和传统的线性和电容降压器(Capdropper)型解决方案相比,极大地提高了性能.采用高度集成的LinkSwitch-TN2集成电路进行设计,具有更多的灵活性和特性,增加了效率,几乎无所不包的系统级保护和更高的可靠性.器件支持降压,降压-升压和反激转换器拓扑结构.
>>详情汽车电子,电池管理系统(BMS),电源管理,锂电池, TIDA-01537
2019-06-12 11:29:01TI公司的TIDA-01537是可升级的汽车HEV/EV 6个-96个锂电池监视器参考设计,基于BQ79606A-Q1,TPS65381A-Q1,TMS570LS0432,TPS57160-Q1,TCAN1042HGV-Q1,ISO7742-Q1和SN6501-Q1等器件.采用可配置电容隔离的菊花链解决方案,可监测和保护的电池数量从6个到96个,它的电池管理系统(BMS)从24V到400V.
>>详情ADI公司的AD5753是单路16位具有动态功率控制和HART连接的电流和电压数模转换器(DAC),工作电压从AVSS的-33V到AVDD1的+33V,两轨间电压高达60V,单端可获得电压或电流输出,电流输出范围:0mA到20mA,4mA到20mA,0mA到24mA,±20mA,±24 mA和1 mA 到+22 mA,电压输出范围:0V到5V,0V到10V,±5V和±10V,用户可编程失调和增益,具有片上诊断包括12位ADC,2个ADC输入引脚,片上基准,包括输出故障保护的功能强大的架构,工作温度40℃到+115℃,主要用在
>>详情TI公司的UCC23513是光耦合兼容单路隔离IGBT,SiC和MOSFET栅极驱动器,峰值输出电流3A,增强的隔离额定值5KVRMS;电源电压33V允许双极电源有效驱动SiC功率FET.UCC23513能驱动高边和低边功率FET,13.2V-33V输出驱动器电压,传输时延最大为115ns,器件间的时延匹配小于25ns,共模瞬态免疫性(CMTI)大于100-kV/μs,隔离层寿命大于40年,输入引脚反向极性电压处理能力7V,工作结温–40℃到+130℃,安全相关认证包括VISO( 5-kVRMS 隔离电压1分钟per UL
>>详情Renesas公司的ISL71043M是耐辐射单端电流模式PWM控制器,可工作在高达13.2V,工作电流2.9mA,典型起动电流90μA,可调工作频率到1MHz,具有50ns上升和下降时间的1A驱动电流.最大占空比100%,1.5MHz带宽误差放大器,限流阈值±3%,特性化辐射电平,低丢失率(LDR) (0.01rad(Si)/s)为30krad(Si),单粒子烧毁LET 43MeV•cm2/mg,工作温度-55℃到 +125℃,主要用在电流模式开关电源,隔离降压和反激稳压器,升压稳压器,马达方向和速度控制以及大电
>>详情Arm Cortex-M0 MCU,USB Type-C, PD,电源管理,汽车充电器,充电宝
2019-05-28 11:57:26Cypress公司的EZ-PD™ CCG3PA是高度集成的USB Type-C端口控制器,和最新的USB Type-C和PD标准兼容,目标应用在PC电源适配器,移动充电器,汽车充电器和充电宝(power bank).CCG3PA采用Cypress所有权的M0S8和32位Arm® Cortex™-M0处理器,以及64KB闪存,完整的Type-C USB-PD收发器,所有Type-C端口需要的端电阻,用于电压(VBUS)稳压器和系统级ESD保护的集成反馈控制电路.
>>详情Power Integrations公司的InnoSwitch™3-EP系列产品是离线CV/CC QR反激开关集成电路,集成了725 V / 900 V MOSFET,同步整流和FluxLink反馈,从而简化反馈电源转换器的设计和制造,特别是需要高效率和/或紧凑尺寸的转换器.InnoSwitch™3-EP系列集成了多种保护特性包括线过压和欠压保护,输出过压和过流限制以及超温关断.
>>详情Microsemi公司的MSCSICSP3/REF2 SiC SP3模块驱动器参考设计为SP3SiC相脚模块提供了高度隔离的SiC MOSFET双栅驱动器设计案例,可配置成驱动任何时候仅有一个边和死区保护的半桥,必要时也可以配置并存驱动器.死区时间和栅极驱动电阻由用户调整以匹配用户的需求.可选择死区保护和饱和保护使得设备更容易评估,从而危险部件的风险.
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