工业传感器电源领域目前创新迭出，但也充满挑战。智能边缘的实现需要智能数据方面的准备。这就需要在电源方面进行创新。在某些情况下，智能边缘传感器需要由单对双绞线电缆供电，单对以太网供电(SPoE)解决方案可以满足需要。
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电动汽车 (EV) 的决定性特征可能是其电池和电动牵引电机，但它们需要第三个同样重要的元素的存在：牵引逆变器。牵引逆变器允许电动汽车电池与电动机一起工作，将电池的直流电转换为交流电来驱动电动机。
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在设计电源时，首先要回答的问题是「是否需要电流隔离？」使用电流隔离可以使电路更安全，抗干扰能力较强，容易实现升降压转换，及较易实现多路输出和很宽的输入电压范围。两种最常见隔离电源的拓扑形式是「反激」和「正向」。但是为了获得更高的功率输出，可以使用其他隔离拓扑如「推挽」、「半桥」和「全桥」。
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在模拟集成温度传感器 LM35D 的1、3 脚接上 15.2V 直流电源，用 BM9205 型数字式万用表的 2V 挡测 3脚（地端）与 2 脚（输出脚）之间的电压，如图 10—30 所示。然后用电烙铁头给LM35D温度传感器加热，随着温度升高，2脚输出电压也上升，如图10—31、图 10—32所示。
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频率差法是在时差法和相差法的基础上发展起来的，是目前常用的方法，可以克服温度的影响。通过测量顺流和逆流时超声脉冲的重复频率差来测量流速，测得的流体流量与频率差成正比。
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氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。
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要想确保集成电路的可靠性，有必要了解封装的热特性。要将器件结温保持在允许的最大限值以下，集成电路必须能够通过封装有效散热。集成电路封装热仿真有助于预测结温和封装热阻，从而帮助优化热性能以满足特定要求。
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CMOS 反相器的发展为集成电路提供了基本功能，是技术史上的一个转折点。该逻辑电路突出了使 CMOS 非常适合高密度、高性能数字系统的电气特性。
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随着向无碳社会的推进以及能源的短缺，全球对可再生能源寄予厚望，对不断提高能源利用效率并改进逆变器技术（节能的关键）提出了更高要求。而功率元器件和模拟IC在很大程度上决定了逆变器的节能性能和效率。通过在适合的应用中使用功率元器件和模拟IC，可以进一步提高逆变器的功率转换效率，降低工业设备的功耗，从而实现节能。本文将为您介绍在新型逆变器中应用日益广泛的先进功率元器件和模拟IC的特性及特点。
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