《建筑节能与可再生能源利用通用规范》于2022年4月1日起开始实施，其中明确：新建建筑应安装太阳能系统，其中的集热器设计使用寿命应高于15年，光伏组件设计使用寿命应高于25年。
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ADI公司的ADPA1106是氮化镓(GaN)宽带功率放大器,提供46dBm(40W)功率,典型功率附加效率(PAE),带宽2.7GHz到3.1GHz. 频率2.7 GHz 到 3.1 GHz和PIN=21dBm输出功率POUT=46dBm,功率增益为25dB,小信号增益为34.5dB. 2.7GHz到3.1GHz和PIN = 21 dBm时的PAE为56%.电源电压VDD=50V, IDQ = 300 mA占空比10%.采用32引脚5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装.主要用在气象雷达,船用雷达和军用雷达.本文介绍了ADPA1106主要特性和电性能指标,基本框图以及46
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On Semi公司的NCP51820是高速栅极驱动器,设计满足驱动增强模式(e−mode)高迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),以及离线半桥功率拓扑的氮化镓GaN功率开关严格要求. NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.此外器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视
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电源管理，氮化镓高迁移率晶体管(GaN HEMT)，开关电源，DC／DC转换器， ST ，MASTERGAN1
2020-10-21 15:30:26ST公司的MASTERGAN1是650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护
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电源管理，DC／DC转换器，氮化镓，CoolGaN，Infineon IGT60R070D1
2020-09-28 14:52:32Infineon公司的IGT60R070D1是600V CoolGaN™氮化镓增强模式功率晶体管,具有超快的开关速度,没有反向恢复电荷,能够反向导通,低栅极电荷和低输出电荷,优越的换向坚固性,根据JEDEC标准(JESD47和JESD22)具有工业应用的资质.提高了系统效率和功率密度,更高的工作频率,降低系统成本和降低EMI.采用CoolGaN™ 600V增强型HEMT IGT60R070D1 3600W LLC DC/DC演示板能把360V到400VDC输入电压转换成调整的52V输出.IGT60R070D1主要用在
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TI公司的LMG3410是600V/12A单路氮化镓(GaN)功率级,在8x9mm QFN封装中包括70-mΩ 600V GaN功率晶体管和专用的驱动器.高达1MHz稳态工作,传输延迟20ns,单电源12V工作,支持25-100V/ns,集成了DC/DC转换器用来负驱动电压.具有UVLO保护,过流保护和超温保护,主要用在服务器/通信AC/DC电源,太阳能逆变器和马达驱动以及机架安装的服务器DC分布电源.
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宜普公司(Efficient Power Conversion)的EPC2010是增强型硅基板氮化镓（GaN）功率晶体管,源漏电压200V,漏极电流5A,具有超高的效率,超低的RDS(on)(小于25毫欧姆),超低的QG以及超小的占位面积,其性能优于硅功率MOSFET多倍,主要用在服务器，网路电脑,笔记本电脑,手机,基站,平板显示器以及D-类功率放大器.本文介绍了EPC2010优势和技术指标,以及采用EPC2010的200V半桥栅极驱动器EPC9003开发板方框图,电路图和材料清单和测试框图.
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