据报道，三星电子已启动公开招标，清理韩国（37台）和中国西安（86台）半导体工厂共123台闲置旧设备，以精简NAND Flash业务流程，加速向200层以上NAND Flash转型。此次出售的设备以90-65纳米成熟制程设备为主，含部分8英寸晶圆设备，涵盖存储晶圆制造全流程通用设备，包括金属薄膜成型、沉积、蚀刻等核心工具，而非特定工艺专用设备。
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据韩国媒体The Elec报道，三星的首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年二季度进入量产阶段，初期收入预计将保持在1000亿韩元以下。
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在全球人工智能浪潮的兴起和向绿色能源加速转型的背景下，氮化镓（GaN）行业正进入关键的黄金增长期。根据TrendForce的研究，全球氮化镓功率器件市场预计将以44%的年复合年增长率（CAGR）增长，从2024年的3.9亿美元增长到2030年的35.1亿美元。
>>详情韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。
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2026 年1月12日，中国领先的碳化硅（SiC）功率器件及芯片方案商 — 上海瞻芯电子科技股份有限公司 (简称 "瞻芯电子") 正式获得中国合格评定国家认可委员会（CNAS）颁发的实验室认可证书（注册号：CNAS L24974）。这一认可标志着瞻芯电子测试实验室在 SiC 器件的研发测试能力、硬件设备及质量管理体系等方面，符合 ISO/IEC 17025 国际实验室认可标准；作为我国权威的实验室认可机构，CNAS 已与国际实验室认可合作组织（ILAC）、亚太实验室认可合作组织（APLAC）签署多边互认协议，因此实验室出具的检测报告将具备国际互认性与公信力。
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近日有网传消息称，董明珠在接待广汽集团董事长冯兴亚一行时笑言，未来广汽的汽车芯片中一半由格力产品替代。 对此，广汽集团发布辟谣声明称，相关网传表述并非事实。
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2026年1月4日，杭州士兰微电子股份有限公司在厦门市海沧区隆重举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”。
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SiC 技术重磅突破！瀚天天成全球首发 12 英寸碳化硅外延晶片。相较于当前主流的 150mm（6 英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的 200mm（8 英寸）产品，300mm（12 英寸）晶片凭借直径的显著扩容，在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升 —— 较 6 英寸晶片提升至 4.4 倍，较 8 英寸晶片提升至 2.3 倍。
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安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries, GF）达成全新合作协议，进一步巩固其在智能电源产品领域的领导地位，双方将共同研发并制造下一代氮化镓（GaN）功率器件，合作将从650V器件开始。
>>详情随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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12月8日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）发布自愿公告，宣布其采用650V氮化镓（GaN）的新一代6.6kW车载充电机（OBC）系统在长安汽车顺利装车，该系统凭借业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆。
>>详情安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。
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