随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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随着人工智能技术的迅猛发展，AR眼镜作为AI端侧落地的核心载体，正逐步成为科技产业的焦点领域。在AI与AR深度融合的趋势下，传统玻璃、树脂等镜片基底材料在光波导方案中显现明显局限，难以满足AR及AI眼镜对更广视场角、更轻机身、更长续航的核心需求，这一瓶颈既制约了产品性能升级，也影响了用户体验的优化。
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12月8日，英诺赛科(苏州)科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）发布自愿公告，宣布其采用650V氮化镓（GaN）的新一代6.6kW车载充电机（OBC）系统在长安汽车顺利装车，该系统凭借业内领先的充电效率和整机功率密度，为车载电源技术树立了新标杆。
>>详情安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。
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当地时间2025年12月2日，功率半导体及图像传感器大厂安森美与国产氮化镓（GaN）大厂英诺赛科（Innoscience）宣布双方签署了一份谅解备忘录（MoU），以评估加速40-200V氮化镓功率器件部署的机会，并显著扩大客户采纳度。备忘录中提出的合作，将安森美在集成系统与封装领域的领导力与英诺赛科成熟的GaN技术及大规模制造相结合，实现为工业、汽车、电信基础设施、消费级及AI数据中心市场交付具有成本效益且高效的GaN产品。
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创新型碳化硅功率解决方案的全球引领者 Wolfspeed 公司（纽约证券交易所代码：WOLF）今日宣布与全球可再生能源解决方案创新者深圳市禾望电气股份有限公司（禾望电气，Hopewind）达成合作。两家公司通过将 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模块集成到禾望电气先进的高度模块化、轻量化的 950 Vac 风电变流器之中，共同推动下一代风电解决方案的开发。
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当地时间11月10日消息，晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）今宣布，它已与台积电就650V和80V氮化镓（GaN）技术签订了技术许可协议。这一战略举措将加速格芯在数据中心、工业和汽车电源应用中的下一代氮化镓产品，并为全球客户群提供美国的氮化镓产能。
>>详情随着人工智能数据中心、电动汽车等高能耗领域的能源需求激增，安森美半导体（Onsemi）推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关领域的功率密度、效率和耐用性树立新标杆。这款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直导电设计，电流可垂直流经化合物半导体，能实现更高工作电压与更快开关频率，既达到节能效果，还能为人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源及航空航天、国防等领域打造更小巧轻便的系统。
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在新能源产业飞速发展的当下，碳化硅技术作为提升功率密度、优化能源效率的关键，备受行业关注。中电网10月份《新材料》主题月聚焦新材料领域，特邀安森美碳化硅技术专家 Jiahao Niu、电源方案事业部业务拓展经理 Sean Gao 及 Hank Zhao，深入探讨安森美在碳化硅技术的布局与成果。
>>详情天成半导体继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备，成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。
>>详情近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称"国创中心"）在氮化镓/碳化硅集成领域取得重大技术突破，成功研制出商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一突破性成果标志着我国在第三代半导体材料领域取得重要进展，为相关产业链上市公司带来新的发展机遇。
>>详情纳微半导体(NVTS.US)宣布在研发先进的800伏直流(800 VDC)氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得进展，以支持英伟达(NVIDIA)最新发布的用于下一代人工智能(AI)计算平台的800高压直流(HVDC)架构。受此消息提振，纳微半导体周一美股收涨21.14%，盘后再涨超30%。
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在AI技术飞速发展的当下，数据中心作为算力枢纽，正面临着日益严峻的能耗挑战。为深入了解行业应对之策，中电网特别专访了安森美高级现场应用工程师陈熙，围绕AI数据中心的能耗困境、安森美的技术解决方案、供应链保障及未来研发方向展开深入探讨。
>>详情据“天岳先进”官方微信公众号消息，8月22日，东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝电子元件”）与山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商业合作两方面展开深入合作，具体包括提升SiC功率半导体特性和品质，以及扩大高品质稳定衬底供应。未来，双方将围绕合作细节展开进一步磋商。
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