随着新能源汽车行业向电气化和智能化全面迈进,系统架构正从400V平台向800V平台升级,以提升充电速度、降低电流损耗并优化整车能效。
>>详情美国碳化硅(SiC)材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报,不仅业绩不佳,市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议,引发了其股价于5月8日的交易中暴跌25.96%,收于每股3.28美元,
>>详情根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示,受2024年汽车和工业需求走弱,全球碳化硅(SiC)衬底出货量增长放缓,与此同时,由于市场竞争加剧,产品价格大幅下跌,导致2024年全球N-type(导电型)SiC衬底产业营收同比下滑9%至10.4亿美元。
>>详情今年 5 月 10 日是第九个中国品牌日。中国品牌日四川活动“魅力天府品牌之夜”于 5 月 9 日在成都举行。会上,电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强,带着全球首个氮化镓量子光源芯片登场并正式发布。
>>详情日前,Polar Semiconductor与瑞萨电子(Renesas)达成战略协议,授权其硅基氮化镓D型(GaN-on-Si)技术,并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨及其他客户生产650V高压硅基氮化镓器件。
>>详情全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商 IQE plc(AIM:IQE,“IQE ”或 “集团”)与领先的模拟/混合信号和专业代工厂 X-FAB Silicon Foundries SE 欣然宣布达成一项联合开发协议 (JDA),共同开发基于欧洲的氮化镓功率器件平台解决方案。
>>详情氮化镓功率器件凭借其材料特性,为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆,可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量,从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前,氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及,并因其显著的轻量化优势,被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
>>详情氮化镓(GaN)功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与,并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金(BGF)、剑桥创新资本公司(CIC)、英国展望集团(Foresight Group)和 IQ Capital 的支持。
>>详情英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造,将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术,包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外,英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。
>>详情据悉,查塔姆材料工厂总投资为50亿美元(约合人民币364亿元),主要生产8英寸碳化硅晶锭及衬底,Wolfspeed预计将在今年3月前全面接管该工厂,并计划在今年6月投产,Wolfspeed正在进行碳化硅晶锭生产测试工作。此前消息称,该项目竣工达产后,将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。
>>详情氮化硅陶瓷基板在电源模块的有源金属钎焊(AMB)基板中发挥着关键作用,其应用包括电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)电机控制的逆变器。这些基板在功率半导体模块运行期间具有散热功能。同时,基板越薄、热扩散率越高,功率半导体模块的运行效率就越高。
>>详情日前,安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
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