在新能源产业飞速发展的当下,碳化硅技术作为提升功率密度、优化能源效率的关键,备受行业关注。中电网10月份《新材料》主题月聚焦新材料领域,特邀安森美碳化硅技术专家 Jiahao Niu、电源方案事业部业务拓展经理 Sean Gao 及 Hank Zhao,深入探讨安森美在碳化硅技术的布局与成果。
>>详情天成半导体继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后,又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备,成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料,12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。
>>详情近日,国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台(简称"国创中心")在氮化镓/碳化硅集成领域取得重大技术突破,成功研制出商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一突破性成果标志着我国在第三代半导体材料领域取得重要进展,为相关产业链上市公司带来新的发展机遇。
>>详情纳微半导体(NVTS.US)宣布在研发先进的800伏直流(800 VDC)氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得进展,以支持英伟达(NVIDIA)最新发布的用于下一代人工智能(AI)计算平台的800高压直流(HVDC)架构。受此消息提振,纳微半导体周一美股收涨21.14%,盘后再涨超30%。
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在AI技术飞速发展的当下,数据中心作为算力枢纽,正面临着日益严峻的能耗挑战。为深入了解行业应对之策,中电网特别专访了安森美高级现场应用工程师陈熙,围绕AI数据中心的能耗困境、安森美的技术解决方案、供应链保障及未来研发方向展开深入探讨。
>>详情据“天岳先进”官方微信公众号消息,8月22日,东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝电子元件”)与山东天岳先进科技股份有限公司(以下简称“天岳先进”)就SiC功率半导体用衬底达成基本合作协议。双方将在技术协作与商业合作两方面展开深入合作,具体包括提升SiC功率半导体特性和品质,以及扩大高品质稳定衬底供应。未来,双方将围绕合作细节展开进一步磋商。
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格,以下简称“英飞凌”)今日宣布,与全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作,推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。
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近日,我国在8英寸碳化硅领域多番突破,中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级,三义激光首批碳化硅激光设备正式交付,天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售,上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来,未来将会有更多厂商带来新的产品和技术,我们拭目以待。
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电力电子器件高度依赖于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择,但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅,碳化硅具备多项技术优势(图1),这使其在电动汽车、数据中心,以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角,成为众多应用中的新兴首选技术。
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深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit),其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上,NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作,加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
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以崭新活力和对创新及研发的深化承诺开启新纪元增长计划将充分发挥已部署的 200 mm 产能优势,该产能将通过自由现金流生成能力实现资金自筹.全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. 公司(纽约证券交易所代码:WOLF)今日宣布已成功完成其财务重整流程,并已退出美国《破产法》第 11 章的保护。
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全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed 公司(美国纽约证券交易所上市代码:WOLF)宣布,Wolfspeed 200 mm 碳化硅材料产品开启大规模商用。
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澳大利亚达尔文及美国加州圣何塞,2025年8月22日讯 –Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时,37支学生队伍已整装待发,将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛,穿越澳洲内陆地区。
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