日前，Polar Semiconductor与瑞萨电子（Renesas）达成战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术，并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨及其他客户生产650V高压硅基氮化镓器件。
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全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商 IQE plc（AIM：IQE，“IQE ”或 “集团”）与领先的模拟/混合信号和专业代工厂 X-FAB Silicon Foundries SE 欣然宣布达成一项联合开发协议 (JDA)，共同开发基于欧洲的氮化镓功率器件平台解决方案。
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氮化镓功率器件凭借其材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆，可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
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氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。
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英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。
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据悉，查塔姆材料工厂总投资为50亿美元（约合人民币364亿元），主要生产8英寸碳化硅晶锭及衬底，Wolfspeed预计将在今年3月前全面接管该工厂，并计划在今年6月投产，Wolfspeed正在进行碳化硅晶锭生产测试工作。此前消息称，该项目竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。
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氮化硅陶瓷基板在电源模块的有源金属钎焊（AMB）基板中发挥着关键作用，其应用包括电动汽车（EV）和混合动力电动汽车（HEV）电机控制的逆变器。这些基板在功率半导体模块运行期间具有散热功能。同时，基板越薄、热扩散率越高，功率半导体模块的运行效率就越高。
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日前，安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15亿美元现金收购Qorvo碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
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今年以来，电动汽车的新品发布频繁刷屏，高压快充让800V这一概念不断深入人心，也使得“碳化硅”这一硬核词汇得到了广泛普及，以至于如今提及碳化硅市场，必须要讲电动汽车，必须要讲主驱逆变器。
>>详情2024年下半年以来，香港资本市场掀起一波上市热潮。从科技新贵到行业巨头，众多内地企业将目光投向香港资本市场。临近岁末，又一细分领域行业龙头登陆港股资本市场。12月30日，英诺赛科（2577.HK）在港上市，掀开国际化发展新篇章。根据弗若斯特沙利文的资料，按2023年收入计，英诺赛科在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。
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未来，烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，持续加大研发投入，充分发挥技术创新引领作用，打造核心竞争优势，从而带动创新链、产业链、生态链的创新与重构，引领行业向更高端化方向发展。
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在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做“能源全链条的关键赋能者” 。
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近年来，随着新能源产业的蓬勃发展，以及智能制造、工业互联网等新兴领域的兴起，功率半导体器件市场需求增长迅猛。其中，以氮化镓为代表的第三代半导体材料，凭借优秀的物理性能和广泛的下游应用场景，已成为推动功率半导体行业变革的核心驱动力。
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