5月28日，长飞先进武汉基地一期实现量产通线，首片6寸碳化硅晶圆于今日成功下线。据悉，长飞先进武汉基地一期占地面积344亩，将聚集上千位全球碳化硅半导体人才，打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。公开消息显示，长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，总投资预计超过200亿元，其中项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
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在汽车智能化与电动化加速发展的今天，安森美（onsemi）凭借在智能感知、碳化硅技术和智能电源领域的深厚积累，持续引领行业创新。近日，中电网特别采访了安森美中国区汽车现场应用工程经理 Chao Peng、William Chen以及安森美碳化硅技术专家 Jiahao Niu，深入了解其在汽车电子领域的最新突破与未来布局。
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随着新能源汽车行业向电气化和智能化全面迈进，系统架构正从400V平台向800V平台升级，以提升充电速度、降低电流损耗并优化整车能效。
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美国碳化硅（SiC）材料龙头大厂Wolfspeed于当地时间5月8日美股盘后公布2025财年第三财季财报，不仅业绩不佳，市场更担心Wolfspeed无法与债权人达成协议，引发了其股价于5月8日的交易中暴跌25.96%，收于每股3.28美元，
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根据市场研究机构TrendForce集邦咨询最新发布的报告显示，受2024年汽车和工业需求走弱，全球碳化硅（SiC）衬底出货量增长放缓，与此同时，由于市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC衬底产业营收同比下滑9%至10.4亿美元。
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今年 5 月 10 日是第九个中国品牌日。中国品牌日四川活动“魅力天府品牌之夜”于 5 月 9 日在成都举行。会上，电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强，带着全球首个氮化镓量子光源芯片登场并正式发布。
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日前，Polar Semiconductor与瑞萨电子（Renesas）达成战略协议，授权其硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术，并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨及其他客户生产650V高压硅基氮化镓器件。
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全球领先的化合物半导体晶圆产品和先进材料解决方案供应商 IQE plc（AIM：IQE，“IQE ”或 “集团”）与领先的模拟/混合信号和专业代工厂 X-FAB Silicon Foundries SE 欣然宣布达成一项联合开发协议 (JDA)，共同开发基于欧洲的氮化镓功率器件平台解决方案。
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氮化镓功率器件凭借其材料特性，为电源转换、运动控制与驱动系统树立了性能新标杆，可显著降低能耗、提升效率、缩小体积并减轻重量，从而降低整体方案的成本与碳足迹。目前，氮化镓功率器件已在消费电子、数据中心、工业电源与光伏逆变器领域迅速普及，并因其显著的轻量化优势，被积极应用于下一代电动汽车动力系统设计中。
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氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者 Parkwalk、英国企业发展基金（BGF）、剑桥创新资本公司（CIC）、英国展望集团（Foresight Group）和 IQ Capital 的支持。
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英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。
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据悉，查塔姆材料工厂总投资为50亿美元（约合人民币364亿元），主要生产8英寸碳化硅晶锭及衬底，Wolfspeed预计将在今年3月前全面接管该工厂，并计划在今年6月投产，Wolfspeed正在进行碳化硅晶锭生产测试工作。此前消息称，该项目竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。
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