音频是一个复杂的应用，尤其是对于发烧友领域各个层面的需求。最高端的音频设备通常都价格高昂，不同类型的音频放大器吸引了众多用户的追求，他们相信其选择可以最好地再现播放原始录音的真实含义。尽管在各种发烧友论坛上大家对各种放大器设计的优缺点讨论很多，但在许多应用领域中，能效起着非常重要作用。
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在功率半导体领域，氮化镓（GaN）因其高频高效特性被誉为 “下一代开关器件的核心”，这一技术如今已经通过快充进入到了千家万户，但如何持续发挥出氮化镓的功率优势，在不同领域都实现如快充头一样的普及，一直是行业难题。
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安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。
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电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。
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本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。
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在本文中，我们将探讨SiC半导体产品如何实现高质量和高可靠性，以及SiC制造商为确保其解决方案能够投放市场所付出的巨大努力，这些努力不仅提升了产品性能，还确保了卓越的可靠性。
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随着技术的不断成熟和研发的持续深入，SiC的优势将进一步得到挖掘，为未来的电力转换与储能应用带来更多可能性。希望本文对SiC器件的分析和应用研究能够为读者在相关设计中提供有益的参考与指导。
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几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。
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