日本半导体制造商罗姆(ROHM)已启动 SCT40xxDLL 系列碳化硅(SiC)MOSFET 的量产工作,该系列产品采用 TOLL(无引脚 TO 封装)封装形式。
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XP Power宣布推出新款65W至140W适配器AC-DC电源PGW和PGD系列。这两个系列包括壁挂式(PGW65、PGW100)和台式(PGD100、PGD140)两种选项,旨在符合功率传输(PD)协议,适用于广泛的工业技术和BF级医疗应用。这些产品面向从事医疗、家庭保健和工业技术设备的设计工程师。
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列,继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进,并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了EasyPACK™ C 系列产品 ——EasyPACK™ 封装家族的新一代产品。
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在追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子世界中,碳化硅技术正以前所未有的速度取代传统硅基器件。鲁光电子推出的LGE3D30120H,便是一款采用标准TO-247AC封装的碳化硅肖特基二极管,它以其卓越的性能,成为中大功率应用领域升级换代的理想选择。
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全球消费电子领导品牌贝尔金(Belkin)今日宣布正式发布其首款搭载ZSP(Zero-Standby Power,零待机功耗)技术的GaN充电器——Z-Charger。这款创新产品标志着快充技术迈入超低待机功耗新时代。
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Power Integrations推出一款专为太阳能赛车量身定制的参考设计套件。与此同时,37支学生队伍已整装待发,将参加于8月24日开始的普利司通世界太阳能挑战赛,穿越澳洲内陆地区。
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氮化镓英诺赛科INN100EA050DAD INN100EA070DAD
全球领先的氮化镓 (GaN) 供应商英诺赛科 (Innoscience) 宣布推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品:INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD,可实现太阳能微型逆变器、储能系统 (ESS)(直流输入)和最大功率点跟踪 (MPPT) 优化器的最高效率。
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碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有独特的物理和电性特性,其能带间隔是硅的 2.8 倍,绝缘击穿场强为硅的 5.3 倍,导热率为硅的 3.3 倍,这些特性使得碳化硅肖特基二极管能够在高电压、高频率和高温条件下稳定运行,在功率器件领域展现出巨大潜力。
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合,推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管。
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SemiQ 致力于针对 1,200V 碳化硅 MOSFET 太阳能逆变器,这些 MOSFET 经过 800mJ 雪崩测试,部分与碳化硅肖特基二极管共封装——所有产品均具有内置反向二极管。
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至信微碳化硅(SiC)技术的高性能芯片,核心参数如下:正向电阻温漂特性出色,电磁优化设计,输入电阻更小、门极电荷更低,器件电容低(输出、反向传输电容行业领先)
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