Power Integrations， InnoMux－2系列， 1700V氮化镓开关IC
2024-11-05 09:51:47深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations今日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。
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英飞凌， HybridPACK Drive G2 Fusion， 电动汽车， 电源模块
2024-10-21 09:41:05英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。HybridPACK™ Drive G2 Fusion是首款结合英飞凌硅（Si）和碳化硅（SiC）技术的即插即用电源模块。这一先进解决方案在性能和成本效益之间实现了理想的平衡，为逆变器的优化提供了更多选择。
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全新推出的PE2O8碳化硅外延机台是对行业领先的ASM单晶片碳化硅外延机台产品组合（包含适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8）的进一步增强。该机台采用独立双腔设计，兼容6英寸和8英寸晶圆，可实现增加产量的同时，降低成本。
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Littelfuse， SiC MOSFET， 瞬态抑制二极管， 碳化硅
2024-10-17 10:12:52Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC） MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。
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全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布推出最新 2300 V 无基板碳化硅模块。这一碳化硅解决方案经过优化设计，可带来效率、耐用性、可靠性、可扩展性的提升，将助力推动可再生能源、储能、高容量快速充电等领域的变革。这款 2300 V 无基板碳化硅模块针对 1500 V 直流母线应用开发，并采用了 Wolfspeed 前沿领先的 200 mm 碳化硅晶圆。
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纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
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GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
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此模块产品的芯片完全国产化，产品功率密度高、性能稳定、损耗更低，可根据不同应用场景进行相应配置。此产品被誉为“龙行1200-100-3”，共SA1001K2ES3AN和SA1001K2ES3AH两个型号，主要应用于高频切换、DC/DC变流器、太阳能等领域。
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英飞凌， CoolSiC MOSFET 2000 V， 碳化硅分立器件
2024-03-13 14:43:29英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
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意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。
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意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。
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意法半导体，200W和500W器件，氮化镓(GaN)电桥芯片
2023-12-15 13:57:59意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。
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德州仪器 (TI)今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系统效率，同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器，能解决常见的散热设计问题，既能让适配器保持凉爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。
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Transphorm, Inc.近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
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Power Integrations今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
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