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  • Vishay推出两款采用SMA(DO-214AC)封装的新型第7代1200 V FRED Pt Hyperfast恢复整流器
  • Vishay推出两款采用SMA(DO-214AC)封装的新型第7代1200 V FRED Pt Hyperfast恢复整流器  2023-01-18
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新型第七代1200 V FRED Pt® Hyperfast恢复整流器---VS‑E7MH0112-M3和VS-E7MH0112HM3。这两款1 A整流器采用SMA(DO-214AC)封装,反向恢复电荷(Qrr)和正向压降达到同类器件先进水平。Vishay Semiconductors VS‑E7MH0112-M3和经过AEC-Q101认证的VS-E7MH0112HM3可用来优化工业和汽车应用,提高AC/DC和DC/DC转换器辅助功能和低功率级的能效。
  • 采用紧凑型 DFN 封装、具有最高通流能力,Bourns 推出新款 PTVS 二极管系列
  • 采用紧凑型 DFN 封装、具有最高通流能力,Bourns 推出新款 PTVS 二极管系列  2023-01-18
    Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商,推出 Bourns 最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管系列。Bourns® PTVS20-015C-H可采用紧凑型表贴式 DFN 封装,能够在 15 V 的低电压下处理 20 kA、8/20 µs 的电流浪涌,这些特性在需要大功率 DC 线路保护的应用中提供有效的静电放电 (ESD) 保护。
  • Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管
  • Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管  2022-11-22
    Nexperia今天宣布,旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器件,可应用于车载充电器(OBC)和电动汽车逆变器,以及工业应用中的功率转换器、PV逆变器和电源。标准产品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5),符合AEC-Q101标准的产品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)。
  • 英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列,内置集成的快速体二极管
  • 英飞凌推出950 V CoolMOS PFD7系列,内置集成的快速体二极管  2022-11-08
    英飞凌科技股份公司推出了全新的CoolMOS™ PFD7高压MOSFET系列,为950V 超结(SJ)技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性,采用集成的快速体二极管,可确保器件的稳健性,同时降低了BOM(材料清单)成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造,主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源(SMPS)应用。
  • Bourns 全新大电流 PTVS 二极管,具备20 kA 浪涌电流和低箝位电压处理能力
  • Bourns 全新大电流 PTVS 二极管,具备20 kA 浪涌电流和低箝位电压处理能力  2022-10-13
    美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商,推出了一款专为大功率 DC 线路保护应用而设计的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极管。全新 PTVS20-015C-TH 能够在 15 V 的低压下处理 20 kA浪涌电流,使其成为需要大功率 DC 总线保护应用的理想且有效的静电放电 (ESD) 保护解决方案。
  • Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围
  • Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围  2022-10-13
    基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场,Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最
  • Vishay推出薄型PowerPAK 600 V EF系列快速体二极管MOSFET
  • Vishay推出薄型PowerPAK 600 V EF系列快速体二极管MOSFET  2022-10-12
    日前,Vishay宣布推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。
  • 贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
  • 贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET  2022-09-23
    贸泽电子即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电和IT/服务器电源等应用。
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