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  • 英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品
  • 英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品  2023-10-10
    英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。
  • TDK推出TVS二极管样品套件
  • TDK推出TVS二极管样品套件  2023-09-22
    TDK株式会社新近推出一款样品套件 (B74999T9999M099)。套件中包括十种不同类型的超紧凑TVS二极管,其中有五种属于通用型GP系列,广泛用于为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备和网络组件等应用提供过电压保护;
  • 意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D 汽车安全关键应用
  • 意法半导体推出热切换理想二极管控制器,适用于ASIL-D 汽车安全关键应用  2023-08-15
    这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管,替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低,因此,正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时,关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
  • Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率
  • Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率  2023-07-05
    Nexperia今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT,满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。
  • Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封装的200 V FRED Pt Ultrafast整流器
  • Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封装的200 V FRED Pt Ultrafast整流器  2023-06-21
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3,这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。这四款新器件为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案,每种产品都有Vishay汽车级AEC-Q101认证版本。
  • 芯能发布DIPS26-DBC系列智能功率模块
  • 芯能发布DIPS26-DBC系列智能功率模块  2023-06-15
    DIPS26智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和IGBT芯片,优化内部布局与引脚分布,是包括空调压缩机、变频洗衣机、变频烟机和工业驱动器等先进家电/工业电机驱动应用的理想选择。
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