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Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性 2023-05-23
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,正向压降、电容电荷和反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET 2023-05-10
Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管 2023-04-20
Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。
安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场 2023-03-22
安森美推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用于能源基础设施应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、储能和电动汽车充电电源转换。
东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率 2023-03-09
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。
Diodes 公司推出智能型高侧切换器,确保车用系统的可靠性 2023-02-23
Diodes 公司 宣布推出 DIODES ZXMS81045SPQ,这是旗下首款自我防护型且符合汽车规范的高侧 IntelliFET™产品。这款小尺寸装置能提供高功率电源,同时具有保护和诊断功能,适用于驱动 12V 车用装置负载,如汽车车身控制和照明系统中的 LED、灯泡、致动器和马达。
Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD) 2023-02-08
Diodes 公司今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品,以及 DIODES DSCxx120 系列,共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
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