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Diodes 公司推出业界首款同级产品中极小DSN1406 2A 封装的肖特基整流器 2024-03-21
Diodes 公司 发布 SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) 肖特基整流器,在同级产品中实现了业界极高的电流密度,以低正向压降和热阻的特性,为体积更小且更有效率的便携式、移动和可穿戴设备克服了设计难题。此系列创新的高电流沟槽肖特基整流器采用仅占 0.84mm² 电路板空间的芯片级封装 (CSP),适用于各种用途,可作为阻流或反极性保护二极管、升压二极管和开关二极管使用。
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗 2024-02-29
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管 2024-02-26
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管产品组合。该产品组合包括11种工业产品以及11种符合AEC-Q101标准的产品。本次产品发布是为了支持制造商以更小尺寸的CFP封装器件取代SMx型封装器件的发展趋势,特别是在汽车应用中。
Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能 2024-01-30
Qorvo今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度系数(PTC)加热器模块等电动汽车(EV)类应用。
Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET 2023-12-11
Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。
Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件 2023-11-07
Transphorm, Inc.近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
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