包装 : 管件

系列 : BIMOSFET™

IGBT类型 : -

电压-集射极击穿（最大值） : 1700V

电流-集电极（Ic）（最大值） : 12A

脉冲电流-集电极(Icm) : 36A

不同Vge，Ic时的Vce（on） : 3.4V @ 15V，6A

功率-最大值 : 75W

开关能量 : -

输入类型 : 标准

栅极电荷 : 17nC

25°C时Td（开/关）值 : -

测试条件 : -

反向恢复时间（trr） : 1.08µs

封装/外壳 : TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

安装类型 : 表面贴装

供应商器件封装 : TO-268