包装 : 管件

系列 : BIMOSFET™

IGBT类型 : -

电压-集射极击穿（最大值） : 1700V

电流-集电极（Ic）（最大值） : 20A

脉冲电流-集电极(Icm) : 40A

不同Vge，Ic时的Vce（on） : 3.8V @ 15V，10A

功率-最大值 : 140W

开关能量 : 6mJ（关）

输入类型 : 标准

栅极电荷 : 30nC

25°C时Td（开/关）值 : 35ns/500ns

测试条件 : 1360V，10A，56 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） : 360ns

封装/外壳 : TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

安装类型 : 表面贴装

供应商器件封装 : TO-268