包装 : 管件
系列 : BIMOSFET™
IGBT类型 : -
电压-集射极击穿(最大值) : 1600V
电流-集电极(Ic)(最大值) : 28A
脉冲电流-集电极(Icm) : -
不同Vge,Ic时的Vce(on) : 7.1V @ 15V,20A
功率-最大值 : 250W
开关能量 : -
输入类型 : 标准
栅极电荷 : 130nC
25°C时Td(开/关)值 : -
测试条件 : 960V,25A,22 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) : -
封装/外壳 : i4-Pac™-5(3 引线)
安装类型 : 通孔
供应商器件封装 : ISOPLUS i4-PAC™